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PN8308H内置功率MOS的同步整流器
骊微电子ic | 2019-03-28 11:26:41    阅读:443   发布文章

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋PN8308H采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的,从而提高转换效率,可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压,降低电源本身发热。

 PN8308H.jpg

 PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET,具有如下特点:

易搭配原边主控芯片: ns级速度关断SR, 支持150kHz工作频率,支持CCM/DCM/QR工作模式;

EMC性能卓越:独特电流跟踪技术显著降低dV/dtEMC特性优于肖特基;

可实现零外围工作:Low side架构,单边SW贴片封装,方便PCB Layout

全面的智能保护功能:UVLO、防误开启、防误关断功能。

 PN8308H典型功率.jpg

PN8308H同步整芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308H同步整芯片集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、最小导通时间等功能,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。

 

PN8308内置高开关速度智能MOSFET,进一步加快关断速度,集成了控制器及功率MOSFET,控制器实时跟踪功率MOSFET电流,实现50ns内快速关断,有效解决了CCM模式同步整流的技术的精确关断。

 PN8308H典型应用电路.jpg

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度实现电源小型化,并降低系统成本。以12V3A电源为例,TO220肖特基+散热片(25mm*17mm)可被SOP8同步整流(10mm*10mm)取代,功率密度提高4倍以上,因PN8308外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。


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