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AP8268 PWM开放式离线开关电源控制芯片
骊微电子ic | 2019-03-13 15:16:30    阅读:47   发布文章

AP8268高性能多模式PWM控制芯片,结合混合调制技术QR-PWMQR-PFMBurst-mode三种模式,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点,被广泛应用于待机电源、开放式开关电源以及适配器中,下面跟随骊微电子芯朋微代理了解下AP8268高性能多模式PWM控制芯片的功能特征。

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1. 启动AP8268 PWM控制芯片的启动电流相当低,故VDD电压可快速的被充电到大于UVLO阈值电压UVLOoff,因此可使用一个较大的启动电阻用于减小损耗,同时获得较快的启动速度。当VDD电压达到16.5V,芯片开始工作。启动过程结束后,变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。

 

2. 软启动启动阶段,CS脚内部的最大峰值电流电压限制逐步的提高;可以大大减小器件的应力,防止变压器饱和。软启动时间典型值为6ms

 

3. 振荡器AP8268 PWM 模式振荡频率固定,当IDMG>330uA时,系统处于高输入电压段,此时工作频率为65kHz,当IDMG<330uA时,系统处于低输入电压段,此时工作频率为90kHzAP8268通过提高低输入压时的工作频率,可降低对变压器的要求。根据DMG上偏电阻设置线电压分频点。

 

4. 降频工作模式AP8268 PWM控制芯片提供降频工作模式,通过检测FB脚电压,在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于VFB_PFM_L,芯片进入降频工作模式,开关频率随负载降低而降低,直至最小频率25kHz

 

5. 谷底开通AP8268 PWM控制芯片根据开关管波形计算励磁电感与寄生电容振荡周期,在DCM模式下实现精确谷底开通,提高转换效率。

 

6. 间歇工作模式极轻载时,AP8268 PWM控制芯片进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻,反馈电压减小;当FB脚电压小于VFB_BM_L(典型1.15V),芯片进入间歇工作模式,功率管关断。当FB脚超过VFB_BM_H时,开关管再次导通。

 

7. 输出驱动AP8268 PWM控制芯片的输出级采用的是图腾柱结构,用于驱动外部MOSFET的栅极。死区时间防止了电源到地的直接通路,既降低了功耗,同时又保证了高压驱动管不被烧坏。输出驱动的最大电压被内部的齐纳二极管箝位在12VAP8268经过优化的输出驱动电路,可减小开关损耗同时又有很好的EMI特性。

 

8. 斜坡补偿AP8268 PWM控制芯片采用峰值电流控制,内置斜坡补偿功能,通过将电压锯齿信号叠加在采样电压信号上,以改善系统闭环稳定性。

 

9. 自适应的线电压补偿AP8268 PWM控制芯片通过DMG引脚上偏电阻检测输入电压,从而产生线补偿电流 ILC CS 引脚,其中ILC=K*IDMGK=0.375为采样DMG引脚电流的比例系数。线补偿电流ILC通过偏置连接在CS引脚与CS检测电阻Rcs间的电阻R3产生补偿电压,补偿量的大小由电阻R3的阻值决定。

 

10. 过压保护AP8268PWM控制芯片通过在消磁阶段采样辅助绕组电压,实现精确的过压保护。当采样的DMG平台电压大于3V且持续7PWM周期,触发输出OVP保护,输出关闭。通过选择合适的DMG下偏电阻R2阻值来设置DMG OVP保护点。

 

11. 过载保护负载电流超过预设定值时,系统会进入过载保护;在异常情况下,可对系统进行保护。当VFB电压超过4.4V,经过固定60ms的延迟时间,开关模式停止。

 

12. 过温保护AP8268 PWM控制芯片集成了片上过温保护,当芯片温度超过150℃,芯片进入过温保护状态。

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