4803mos管采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON），具有低R DS（on）@V GS = -5V，5V逻辑电平控制，双P沟道SOP8封装，超过最大额定值的应力可能会损坏设备，最大额定值仅为压力等级，长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。

4803mos管该设备适合用作负载开关或PWM应用，针对电源管理进行了优化便携式产品的应用，例如H桥，变频器车载充电器及其他。

4803mos管产品特征：

•低R DS（on）@V GS = -5V

•5V逻辑电平控制

•双P沟道SOP8封装

4803MOSFET管绝对最大额定值：

超过最大额定值的应力可能会损坏设备。 最大额定值仅为压力等级。 功能操作如上不暗示推荐的操作条件。 长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。

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